RE1C002ZPTL دیتاشیت

RE1C002ZPTL

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RE1C002ZPTL
حجم فایل 70.238 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت RE1C002ZPTL-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RE1C002ZPTL
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 150mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 1.4nC@4.5V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 115pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 200mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@100uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.2Ω@200mA,4.5V
  • Package: SOT-523(SC-75)
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه